Tower Semiconductor تستثمر 4 مليارات دولار بمحور بصري ياباني

مقدمة تحليلية

تستعد Tower Semiconductor، بدعم من الحكومة اليابانية، لاستثمار إجمالي قدره 4 مليارات دولار في عملياتها اليابانية، بهدف تحويل مصانع الرقائق الإقليمية إلى مركز ضخم لتصنيع أشباه موصلات الربط البصري. يركز هذا التوسع، الذي أوردته صحيفة _Nikkei_، على زيادة الإنتاج بما يعادل 45,000 رقاقة 300 مم شهرياً بحلول عام 2029، أي حوالي 40 ضعف مستويات عام 2025. تهدف الخطة إلى تلبية الطلب المتنامي على محركات الربط البصري، مدفوعة بشكل خاص بقطاع الذكاء الاصطناعي، وتضم مسارين متوازيين لإعادة تأهيل مصنع معطل وزيادة إنتاج منشأة 300 مم قائمة، مع إضافة مصنع جديد من نفس الحجم في المستقبل. المشروع يعكس استجابة الشركة للتحولات الهيكلية في السوق، خصوصاً مع تحكمها في أكثر من 80% من سوق الإنتاج التعاقدي لأشباه موصلات الاتصالات الضوئية المستخدمة في الخوادم، وخدمة قادة الصناعة مثل Marvell.

التحليل التقني

يعتمد توسع Tower Semiconductor في اليابان على خطة ثنائية المسار، مصممة لرفع القدرة الإنتاجية بشكل كبير. يمثل المسار الأول، المعروف باسم Track One، استثماراً مباشراً في البنية التحتية القائمة والمعدلة. يتضمن هذا المسار تحويل المصنع رقم 6 (Fab 6) الخامل حالياً، والذي كان يعمل بإنتاجية 200 مم في مدينة أراي بمحافظة نيغاتا، إلى منشأة لتصنيع رقائق 300 مم. سيركز Fab 6 المُعاد تأهيله على تقنية السيليكون الفوتوني (SiPho) والتعبئة البصرية المتقدمة، والتي تتضمن ربط الدوائر المتكاملة الإلكترونية (EICs) مع الدوائر المتكاملة الفوتونية (PICs).

بشكل متزامن، يهدف المسار الأول إلى توسيع إنتاج Fab 7 في أوزو بمحافظة توياما، وهو منشأة 300 مم تعمل بالفعل في الإنتاج الضخم. يقوم Fab 7 بتصنيع SiGe EICs (الدوائر المتكاملة الإلكترونية من السيليكون والجرمانيوم) و SiPho PICs باستخدام تقنيات معالجة متنوعة، بما في ذلك عقد التصنيع من فئة 65 نانومتر TPS65SG والعديد من سلسلة TPS65، بالإضافة إلى تقنية التصنيع SiPho من فئة 45 نانومتر TPS45PHD. من المقرر أن يصل Track One إلى الجاهزية الإنتاجية الكاملة في الربع الرابع من عام 2027، وتتوقع Tower Semiconductor أن يحقق إيرادات تبلغ حوالي 3.6 مليار دولار وأرباحاً صافية قدرها 1.2 مليار دولار في السنة المالية 2028 من هذا المسار.

المسار الثاني والتكنولوجيا المتقدمة

المسار الثاني، Track Two، يبدأ بالتوازي ويمثل توسعاً أكثر طموحاً. تنوي الشركة إنشاء مصنع جديد آخر بإنتاجية 300 مم بجوار Fab 7 في أوزو. سيزيد هذا المصنع الجديد من إنتاج الشركة من SiGe EICs و SiPho PICs عدة أضعاف. ستضم Tower بذلك موقعين في اليابان لإنتاج EICs و PICs، و موقعاً ثالثاً – وهو Fab 6 المُحول – لتجميع المحركات البصرية باستخدام هذه المكونات.

من المتوقع أن يبدأ المسار الثاني في المساهمة بشكل ملموس في النتائج المالية للشركة في عام 2029. تعترف Tower بأن شركات مثل Intel و TSMC و GlobalFoundries تتفوق حالياً في مجال البصريات المعبأة المشتركة (CPO)، ما يعني أن الاستثمار الياباني ليس مجرد زيادة في السعة، بل هو أيضاً تمهيد لخطط الشركة في CPO، وستقوم الشركة بجلب CPO وتقنيات التصنيع السابقة إلى موقعها في أوزو، توياما.

السياق وتأثير السوق

ينبع قرار Tower Semiconductor بضخ 4 مليارات دولار، منها 3 مليارات دولار من استثماراتها الخاصة و 1 مليار دولار من وزارة الاقتصاد والتجارة والصناعة اليابانية (METI)، من تزايد الطلب على حلول الربط البصري في بنى الذكاء الاصطناعي التحتية. يمثل هذا التوسع تحولاً استراتيجياً عميقاً للشركة التي سيطرت على 80% من سوق الإنتاج التعاقدي لأشباه موصلات الاتصالات الضوئية، حيث أصبحت الحاجة إلى زيادة الإنتاجية بمقدار 40 ضعفاً بحلول عام 2029 ضرورة ملحة. تعكس هذه الخطوة أيضاً الرغبة في تعزيز موقع اليابان كمركز تصنيعي عالمي، ما يتماشى مع الجهود الحكومية لدعم صناعة أشباه الموصلات المحلية.

تأتي هذه الخطوات بالتزامن مع إعادة هيكلة واسعة لعمليات Tower التصنيعية في اليابان. ففي عام 2014، أسست Tower شركة TowerJazz Panasonic Semiconductor Co. (TPSCo) بالتعاون مع Panasonic، حيث امتلكت Tower حصة مسيطرة بلغت 51%، بينما احتفظت Panasonic بـ 49% وساهمت بمصانعها في أوزو وطونامي وأراي. بعد خروج Panasonic من أعمال أشباه الموصلات في عام 2020، انتقلت حصتها إلى Nuvoton Technology Corporation Japan (NTCJ). والآن، تعمل Tower و Nuvoton على تفكيك هيكل TPSCo الأصلي. وبموجب اتفاقية أُعلن عنها في مارس 2026، ومن المتوقع إتمامها في أبريل 2027، ستتولى Tower الملكية الكاملة والتحكم التشغيلي في Fab 7 وأعمالها الخاصة بمسابك 300 مم، بينما ستحصل Nuvoton على الملكية الكاملة لـ TPSCo و Fab 5 في طونامي. هذا الترتيب يسمح لـ Tower بالاستحواذ الكامل على أصولها الاستراتيجية، محولة ما بدأ كطريقة زهيدة للحصول على قدرة تصنيعية يابانية إلى مركز إنتاج رئيسي مملوك بالكامل لها بتقنيات SiPho و SiGe.