PieceMakers: ذاكرة AI طرفية عبر الربط الهجين وتحديات 2027

مقدمة تحليلية

في 16 سبتمبر، بدأت شركة PieceMakers، مصمم ذاكرة DRAM مدعوم من Nanya، التداول في بورصة تايوان الناشئة بسعر مرجعي بلغ 740 دولاراً تايوانياً جديداً (NT$). الشركة، التي قُدرت قيمتها بنحو 44.7 مليار دولار تايواني جديد (ما يقارب 1.4 مليار دولار أمريكي) بناءً على 60.4 مليون سهم قائم، اختتمت جلستها الأولى بسعر 915 دولاراً تايوانياً جديداً، محققة زيادة بنسبة 23.6% عن السعر المرجعي، بعد أن افتتحت بسعر 1,035 دولاراً تايوانياً جديداً وتداولت بما يصل إلى 1,205 دولارات تايوانية جديدة. هذا الطرح لا يمثل اكتتاباً عاماً رئيسياً، بل تداولاً عبر صناع السوق، حيث كانت Nanya Technology أكبر مالك بنسبة 33.96%، بعد بيع 715,000 سهم بسعر 740 دولاراً تايوانياً جديداً لتعويم الأسهم. تراهن PieceMakers على أن ذاكرة الاستدلال لأجهزة الذكاء الاصطناعية الطرفية ستنحرف عن الاعتماد على HBM، مفضلة ذاكرة DRAM مكدسة مباشرة على المعالج باستخدام تقنية الربط الهجين. تعتمد هذه الاستراتيجية على رسوم التصميم كمصدر رئيسي للدخل، حيث ارتفع عمل التصميم المخصص للذكاء الاصطناعي من حوالي 4% في عام 2024 إلى حوالي 40% من إيرادات الشركة في النصف الأول من عام 2026.

التحليل التقني

تأسست PieceMakers في يناير 2006 في شينتشو، تايوان، بقيادة رئيس مجلس الإدارة جوزيف تينغ والرئيس لي شياو ون. غيرت الشركة نموذج عملها من مبيعات منتجات DRAM المباشرة (SDR/DDR DRAM وKGD) إلى خدمات التصميم المخصصة المدفوعة برسوم الهندسة غير المتكررة (NRE)، ثم إلى ترخيص الملكية الفكرية والعوائد والإنتاج الشامل بدءاً من عام 2027. يرى لي شياو ون أن ذاكرة الاستدلال تختلف عن ذاكرة التدريب، مما يفتح مجالاً لتقنية PieceMakers لتتمركز بين حلول SRAM-فقط مثل Nvidia Groq LPU وذاكرة HBM.

الربط الهجين: الآلية والأداء

تعمل تقنية PieceMakers على دمج مكدس DRAM مباشرة في المعالج، بطريقة رقاقة فوق رقاقة (wafer-on-wafer)، مستخدمة الربط الهجين بدلاً من microbumps. هذه الطريقة تسمح بـ:

• اتصالات أكثر كثافة بفضل مسافة الاتصال الأدق.
• عرض نطاق ترددي محسّن يزيد عن 2 تيرابايت/ثانية لكل طبقة.
• مسار إشارة أقصر يقلل زمن الاستجابة إلى أقل من 20 نانوثانية.
• استهلاك طاقة أقل مقارنة بـ HBM.

تستهدف هذه التقنية توفير سعة أكبر من SRAM بتكلفة وطاقة أقل من HBM. المنتجات الرئيسية للشركة تشمل HBLL، وهي رقاقة ثنائية الأبعاد تقدم 144 جيجابايت/ثانية وقد تم إنتاجها تجريبياً في عام 2016 لخط Intel للحوسبة عالية الأداء ونشرت في ISSCC عام 2017، وHiBaLL، النسخة المكدسة ثلاثية الأبعاد التي تتجاوز 1 تيرابايت/ثانية. لا تقوم PieceMakers نفسها بعمليات الثقوب السيليكونية العابرة (TSV) أو الربط الهجين؛ بل يتولى ذلك مسبك رقائق المنطق الخاص بالعميل. أكبر عقبة أمام الإنتاج الضخم بتقنية رقاقة فوق رقاقة هي الإنتاجية (yield)، حيث يجب تصميم بنية الإصلاح مسبقاً مع اختبارات متعددة: قبل الربط، وبعده، ثم بعد دمج المنطق. مثال لي شياو ون يوضح أن إنتاجية 80% لكل طبقة ستؤدي إلى 41% لـ 4 طبقات و17% لـ 8 طبقات. هذا يبرر نموذج عمل الشركة القائم على بيع الملكية الفكرية للإصلاح والرقائق الجيدة المعروفة (known-good-die IP)، حيث أن ملكية الإنتاجية الفكرية قابلة للنقل عبر العملاء.

السياق وتأثير السوق

تتجه PieceMakers نحو سوق حرج حيث يتصارع عمالقة الصناعة على حلول الذاكرة للذكاء الاصطناعي. استراتيجية Nanya في ذاكرة الذكاء الاصطناعي تتمحور حول الحلول المخصصة والطرفية بدلاً من HBM3E. في 7 أغسطس 2025، أعلنت Nanya عن مشروع مشترك بقيمة 500 مليون دولار تايواني جديد مع Etron Technology، بحصة 80/20، لتطوير ذاكرة HBM مخصصة لأجهزة الذكاء الاصطناعية الطرفية، وليس لمسرعات مراكز البيانات. صرح رئيس Nanya، بيي ينغ لي، في وقت سابق من عام 2025 بأن الشركة لن تنافس في سوق HBM3 أو HBM3E. يعتمد كلا جزئي الاستراتيجية على Formosa Advanced Technologies التابعة لمجموعة Formosa Plastics للتعبئة، التي تبني عمليات TSV وتكديس الرقائق الضرورية. يتضح التباين في هذا السوق من خلال منتجات المنافسين المباشرين:

• Nvidia Groq 3 LPU: رقاقة استدلال قائمة على SRAM فقط، نتجت عن صفقة Nvidia بقيمة 20 مليار دولار مع Groq في 24 ديسمبر 2025. لا تحتوي على HBM أو DRAM، وتستخدم 512 ميجابايت من SRAM على الرقاقة لتقديم 150 تيرابايت/ثانية من عرض النطاق الترددي، مقارنة بـ 22 تيرابايت/ثانية من 288 جيجابايت من HBM4 على كل وحدة معالجة رسومات Rubin. في Hot Chips 2026، أعلن إيغور أرسوفسكي من Nvidia عن معيار طرف ثالث: 3,431 رمزاً في الثانية على نموذج بـ 100 ألف سياق و31 مليار معلمة في اختبار منفرد، وهو ما يزيد بأربعة أضعاف عن أسرع نقطة نهاية عامة أخرى. تكمن التكلفة في السعة، حيث يتطلب رف بـ 256 وحدة Groq LPU ما مجموعه 128 جيجابايت فقط، مع الحاجة إلى 62 رقاقة بـ FP8 فقط للاحتفاظ بأوزان المعيار.
• Samsung zHBM: كشفت Samsung في Hot Chips 2026 عن خارطة طريق HBM من ثلاث مراحل تنتهي بـ zHBM، وهي DRAM مكدسة مباشرة فوق المعالج. تتوقع Samsung تقليل استهلاك الطاقة بنسبة 70% وزيادة عرض النطاق الترددي بـ 2.3 ضعف مقارنة بنظام HBM4E رباعي المكدس، مع انخفاض في الحرارة بحوالي 100 واط. لكن هذا يتطلب ربطاً هجيناً بتقنية رقاقة فوق رقاقة بالكامل.

في المقابل، صرح Jaeik Lee، نائب رئيس هندسة التعبئة في SK hynix، في 23 أغسطس، أن الربط الهجين لن يكون جاهزاً لـ HBM4E، وHBM5 هو أقرب نقطة زمنية متوقعة. تتوقع Counterpoint Research إنتاج HBM على نطاق واسع بهذه التقنية حوالي 2029-2030. هذه الفجوة تضع وعود PieceMakers لعام 2027 في مواجهة جداول زمنية أكثر تحفظاً من الشركات الرائدة.